مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله

پیشگفتار:
در دهه های اخیر پیشرفتهای چشمگیر در فناوری نانو، افقهای جدیدی را در حوزه الکترونیک گشوده است. ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) به عنوان یکی از نوآورانه ترین دستاوردهای نانوالکترونیک پتانسیل جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی سنتی را دارند. این ترانزیستورها، با بهره گیری از خواص منحصر به فرد نانولوله های کربنی نظیر تحرک پذیری بالای حاملهای بار مصرف توان پایین و سونیچ پذیری برتر راه را برای ساخت مدارهای مجتمع با کارایی بالاتر و ابعاد کوچکتر هموار کرده اند.
این کتاب به بررسی عمیق اصول عملکرد روشهای ساخت و کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کرینی می پردازد با نگاهی به محدودیتهای فناوریهای سیلیکونی، از جمله قانون مور و چالشهای مقیاس پذیری، این اثر به تشریح چگونگی غلبه بر این موانع با استفاده از نانولوله های کربنی می پردازد. از ساختار هندسی و تنوری ایجاد جریان گرفته تا مقایسه با ترانزیستورهای سنتی مانند MOSFET، این کتاب منبعی جامع برای دانشجویان، پژوهشگران و مهندسان علاقه مند به آینده الکترونیک فراهم می آورد.